دیتاشیت SI8481DB-T1-E1
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
SI8481DB-T1-E1
|
| حجم فایل |
100.156
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
8
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
P Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Vishay Intertech SI8481DB-T1-E1
-
Operating Temperature:
-55°C~+150°C@(Tj)
-
Power Dissipation (Pd):
2.8W
-
Total Gate Charge (Qg@Vgs):
47nC@4.5V
-
Input Capacitance (Ciss@Vds):
2500pF@10V
-
Continuous Drain Current (Id):
9.7A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
900mV@250uA
-
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds):
-
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
21mΩ@3A,4.5V
-
Package:
MicroFoot-4
-
Manufacturer:
Vishay Intertech
